Détail des paramètres du MOSFET

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1. Tension de commutation VT – Tension de commutation (également appelée tension seuil) : tension de grille nécessaire pour que s’instaure un canal conducteur entre la source S et la douille D； -MOSFET à canal N normalisé, VT d’environ 3 à 6 V ； -Grâce à des améliorations technologiques, il est possible de réduire la valeur VT du MOSFET à 2–3 V. 2. La résistance d’entrée en courant continu RGS – c’est-à-dire le rapport entre la tension appliquée entre la grille et la source et le courant de grille – est parfois exprimée par le courant de grille qui traverse la grille ; la valeur de RGS d’un MOSFET peut facilement dépasser 10¹⁰ Ω. 3. Tension de claquage grille-source BVGS – La tension VGS à laquelle le courant de grille IG augmente brusquement à partir de zéro lors de l’augmentation de la tension grille-source, est appelée tension de claquage grille-source BVGS. 4. Tension de bris source-décharge BVDS – Lorsque VGS = 0 (type renforcé), la tension VDS à laquelle le courant ID commence à augmenter fortement lors de l’augmentation de la tension source-décharge est appelée tension de bris source-décharge BVDS. Les raisons de cette augmentation soudaine d’ID sont les suivantes : (1) bris par avalanche de la couche de dépréssion près du drain ; (2) bris par tunnel entre le drain et la source – Dans certains MOSFET, la longueur du canal est courte ; une augmentation continue de VDS fait que la couche de dépréssion s’étend progressivement vers la zone de source, réduisant ainsi la longueur du canal à zéro, ce qui provoque un tunnel entre le drain et la source. Après ce tunnel, les porteurs de charge majoritaires dans la zone de source sont directement attirés par le champ électrique de la couche de dépréssion et atteignent la zone de drain, générant ainsi un grand courant ID.

5. Transconductance à basse fréquence gm – Lorsque VDS prend une valeur fixe, le rapport entre la variation infinitésimale du courant de drain et la variation infinitésimale de la tension grille-source qui provoque cette variation est appelé transconductance – gm reflète la capacité de la tension grille-source à contrôler le courant de drain – c’est un paramètre important caractérisant la capacité d’amplification du MOSFET – généralement, elle se situe dans une fourchette allant de quelques dizaines à quelques mA/V.

6. Capacités inter-électrodes – Il existe des capacités inter-électrodes entre les trois électrodes : la capacité grille-source CGS, la capacité grille-drain CGD et la capacité source-décharge CDS – CGS et CGD sont d’environ 1 à 3 pF – CDS se situe généralement entre 0,1 et 1 pF.

7. Résistance en conduite RON – La résistance en conduite RON indique l’influence de VDS sur ID ; c’est l’inverse de la pente de la tangente à la caractéristique du drain en un point donné – dans la région de saturation, ID ne varie presque pas avec VDS, et la valeur de RON est très élevée, généralement comprise entre plusieurs dizaines de kΩ et plusieurs centaines de kΩ – Comme, dans les circuits numériques, les MOSFET fonctionnent souvent avec VDS = 0 lorsqu’ils sont en conduite, la résistance en conduite RON peut être approximée par celle au point origine – Pour les MOSFET ordinaires, la valeur de RON est inférieure à quelques centaines d’Ω.

8. Coefficient de bruit à basse fréquence NF – Le bruit est causé par les irrégularités dans le mouvement des porteurs de charge à l’intérieur du tube – En raison de son existence, même en l’absence d’entrée de signal, des variations irrégulières de tension ou de courant apparaissent à la sortie d’un amplificateur – Le niveau de performance en termes de bruit est généralement exprimé par le coefficient de bruit NF, dont l’unité est le décibel (dB) – Plus cette valeur est faible, plus le bruit généré par le tube est faible – Le coefficient de bruit à basse fréquence est mesuré dans la plage de basses fréquences – Le coefficient de bruit des transistors à effet de champ est d’environ quelques décibels, ce qui est inférieur à celui des triodes bipolaires.