フィールドエフェクトトランジスタの発熱異常、原因の調査

Thread Content

回路設計時には、フィールドエフェクトトランジスタが発熱することがよくありますが、フィールドエフェクトトランジスタの発熱は、それが誤って動作していることを示しています。フィールド効果トランジスタの発熱が全体の装置の動作に悪影響を及ぼすのを防ぐため、再び動作させる前にまずその発熱の原因を調査する必要があります。フィールドエフェクトトランジスタが発熱するのは、要するにこれらのケースだけです。 一、回路設計　フィールドエフェクトトランジスタをスイッチング状態ではなく、線形動作状態で動作させる。N-MOSをスイッチとして使用する場合、完全に導通させるためにはゲート電圧を電源電圧より数V高くする必要がありますが、P-MOSはその逆です。完全に開放されずに電圧降下が大きくなると、動作成功率の消費が増え、等価直列抵抗も大きくなります。電圧降下が大きくなるため、U*Iも増加し、その損失は発熱を意味します。 二、動作周波数 これは調整過程でよく見られる現象で、周波数の低下は主に2つの要因によって引き起こされます。入力電圧と負荷電圧の比率が小さく、システムの干渉が大きい。前者については、負荷電圧をあまり高く設定しないように注意してください。負荷電圧が高ければ効率は高くなりますが。後者については、以下の点を試してみることができます：1、電流値をもう少し小さく設定する。2、配線をより清潔にする、特にセンスという重要なパス部分。3、インダクターのサイズを小さくするか、閉ループ磁気回路を持つインダクターを使用する。4、RC低域通過フィルターを追加する。これはあまり良い影響は与えないが、Cの一致性が悪くばらつきも大きくなる。しかし、照明用途なら十分だろう。いずれにせよ、周波数を下げることには利点はなく、デメリットしかないので、必ず解決しなければならない。 場合によっては、フィールドエフェクトトランジスタの周波数が高すぎることがあります。これは主に、体積を過度に追求した結果、周波数が上昇し、トランジスタ上の損失が増大するため、発熱も強くなるからです。 三、放熱設計　回路基板の放熱設計が不十分で、電流が過大になっている。フィールドエフェクトトランジスタの定格電流値を達成するには、通常、良好な放熱が必要となる。そのため、IDが電流より小さい場合も過度に発熱する可能性があり、十分な補助放熱フィンが必要です。