MOSFET 매개변수에 대한 자세한 설명

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1. 턴온 전압 VT 턴온 전압(임계 전압이라고도 함)：소스 S와 드레인 D 사이의 전도성 채널을 시작하는 데 필요한 게이트 전압；-표준 N채널 MOSFET, VT는 약 3~6V；-공정 개선을 통해 MOSFET의 VT 값을 2~3V까지 낮출 수 있습니다. 2. DC 입력 저항 RGS - 즉, 게이트와 소스 사이에 인가되는 전압과 게이트 전류의 비율 - 이 특성은 때때로 게이트를 통해 흐르는 게이트 전류로 표현됩니다. MOSFET의 RGS는 쉽게 1010Ω을 초과할 수 있습니다. 3. 게이트-소스 항복전압(BVGS) - 게이트-소스 전압을 증가시키는 과정에서 게이트 전류(IG)가 0에서 급격히 증가할 때의 VGS를 게이트-소스 항복전압(BVGS)이라 한다. 4. 드레인-소스 항복전압 BVDS-VGS=0(enhanced type) 조건에서, 드레인-소스 전압을 높이는 과정에서 ID가 급격하게 증가하기 시작할 때의 VDS를 드레인-소스 항복전압 BVDS라고 한다-ID가 급격하게 증가하는 이유는 다음과 같다.： (1) 드레인 근처 공핍층의 애벌런치 항복 (2) 드레인과 소스 사이의 펀치 스루 항복 - 일부 MOSFET에서는 채널 길이가 짧습니다. VDS가 지속적으로 증가하면 드레인 영역의 공핍층이 소스 영역으로 계속 확장되어 채널 길이가 0이 됩니다. 즉, 드레인과 소스 사이의 펀치 스루가 발생합니다. 펀치스루 후, 소스 영역의 대부분의 캐리어는 공핍층 전기장에 의해 직접 흡수되어 드레인 영역에 도달하여 큰 ID 5가 됩니다. 저주파 트랜스컨덕턴스 gm - VDS가 특정 고정 값인 조건에서 이러한 변화를 유발하는 게이트-소스 전압의 미세 변화에 대한 드레인 전류의 미세 변화의 비율을 트랜스컨덕턴스라고 합니다. gm은 드레인 전류에 대한 게이트-소스 전압의 제어 능력을 반영합니다. MOSFET의 증폭 성능을 특징짓는 중요한 매개변수 - 일반적으로 수십 ~ 수 mA/V 범위 6. 전극 간 용량 - 세 전극 사이에 전극 간 용량이 있습니다.：게이트-소스 커패시턴스 CGS, 게이트-드레인 커패시턴스 CGD 및 드레인-소스 커패시턴스 CDS-CGS 및 CGD는 약 1~3pF이고, CDS는 약 0.1~1pF7입니다. 온저항 RON - 온저항 RON은 VDS가 ID에 미치는 영향을 보여줍니다. 배수 특성의 특정 지점에서 접선의 기울기의 역수입니다. 포화 영역에서는 VDS에 따라 ID가 거의 변하지 않습니다. RON의 값은 일반적으로 수십 킬로옴에서 수백 킬로옴 사이로 매우 큽니다. - 디지털 회로에서 MOSFET은 ON 시 VDS=0 상태에서 동작하는 경우가 많기 때문에 이때의 온 저항 RON은 원점의 RON으로 근사화할 수 있습니다. - 일반 MOSFET의 경우 RON 값은 수백 Ω 이내입니다. 8. 저주파 잡음 계수 NF - 잡음은 관 내부의 캐리어 이동이 불규칙하여 발생합니다. - 존재로 인해 신호 입력이 없더라도 증폭기의 출력단에서 불규칙한 전압 또는 전류 변화가 발생합니다. 잡음 성능의 크기는 일반적으로 잡음으로 측정됩니다. 계수 NF는 데시벨(dB)로 표시됩니다. 값이 작을수록 진공관에서 발생하는 잡음도 작아집니다. 저주파 잡음 계수는 저주파 범위에서 측정된 잡음 계수입니다. 전계 효과의 잡음 계수입니다. 진공관의 크기는 약 몇 데시벨로 바이폴라 트랜지스터보다 작습니다.