장효과 트랜지스터의 발열이 비정상적임, 원인 파악

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회로 설계 시에는 자주 전계효과트랜지스터가 발열하는 경우가 있으며, 전계효과트랜지스터가 발열한다는 것은 그것이 잘못 작동하고 있다는 뜻입니다.장효과 트랜지스터의 발열이 전체 장비의 작동에 해를 끼치는 것을 방지하기 위해, 다시 가동하기 전에 먼저 그 발열의 원인을 파악해야 합니다.장효과 트랜지스터가 발열하는 것은 이런 경우들뿐입니다. 1. 회로 설계: 전계효과 트랜지스터가 스위칭 상태가 아닌 선형적인 작동 상태에서 동작하도록 한다.N-MOS를 스위치로 사용할 경우, 완전히 도통되려면 G단 전압이 전원 전압보다 몇 V 더 높아야 하며, P-MOS는 그 반대입니다.완전히 열리지 않아 전압 강하가 심해져 성공률에 소모가 생기고, 등가 직류 임피던스가 커져 전압 강하가 증가하므로 U*I도 커집니다. 이러한 손실은 발열을 의미합니다. 二、작동 주파수 이는 튜닝 과정에서 비교적 흔하게 나타나는 현상으로, 주파수 하락은 주로 두 가지 요인에 의해 발생합니다.입력 전압과 부하 전압의 비율이 작고, 시스템 간섭이 심함.전자의 경우, 부하 전압을 너무 높게 설정하지 않도록 주의해야 합니다. 비록 부하 전압이 높으면 효율은 더 높아지지만 말입니다.후자의 경우, 다음과 같은 방법들을 시도해볼 수 있습니다: 1. 전류 값을 더 낮게 설정하기 2. 배선을 더 깔끔하게 하기, 특히 sense라는 핵심 경로 부분 3. 인덕터의 크기를 더 작게 선택하거나, 폐쇄형 자기 회로를 가진 인덕터를 사용하기 4. RC 저역 통과 필터를 추가하기. 이 방법은 약간 부정적인 영향을 줄 수 있으며, C값의 일관성이 좋지 않아 편차가 다소 클 수 있지만, 조명 용도로는 충분할 것입니다.어떤 경우에도 주파수를 낮추는 것은 이점이 없고 단지 해로울 뿐이므로 반드시 해결해야 합니다. 때로는 전계효과트랜지스터의 주파수가 너무 높아지는 경우가 있습니다. 이는 주로 부피를 지나치게 줄이려다 보니 주파수가 상승하고, 그 결과 전계효과트랜지스터에서의 손실이 증가하여 발열도 심해지는 것입니다. 삼, 방열 설계: 회로판의 방열 설계가 적절하지 않아 전류가 너무 높습니다. FET의 명시된 전류 값은 일반적으로 효과적인 방열이 있어야만 달성할 수 있습니다.따라서 ID가 전류보다 작으면 과열이 심각해질 수 있으며, 충분한 보조 방열판이 필요합니다.