파이프라인 화학 세척, 파이프라인 탈지, 파이프라인 산세척, 파이프라인 화학 세척 공정 표준

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이 게시글은 마지막으로 ‘공업청소123’이 2016-4-8 09:22에 수정했습니다.
파이프라인의 화학적 청소, 파이프라인의 탈지 처리, 파이프라인의 산세척 등에 관한 내용입니다. 또한 파이프라인의 화학적 청소 공정 표준에 대해서도 설명되어 있습니다. ——샹광청소
청소 대상 및 목적: 화학적 청소를 통해 파이프라인 및 그 연결 부위인 엘보우, 플랜지 등에 붙어 있는 녹과 기타 이물질을 제거함으로써, 금속 표면을 생산에 적합한 수준의 깨끗한 상태로 만듭니다. 1. 탈지: 탈지 세척은 파이프라인의 방청유와 같은 기름때를 제거하여 산세척이 고르게 이루어지도록 하는 것을 목적으로 합니다. 2. 물로 세척하기: 두 번째 물세척의 목적은 파이프라인 내에 남아 있는 탈지 세척액을 제거하고, 남아 있는 불순물들을 표면에서 분리시켜 제거하는 것입니다.
3. 산세척하기: 산세척의 목적은 산세척액을 이용하여 다양한 오염물질과 화학적·전기화학적 반응을 일으켜 용해성 물질을 만들어내는 것입니다. 이렇게 만들어진 물질들은 산세척액과 함께 파이프라인 밖으로 배출되어 금속 표면을 깨끗하게 할 수 있습니다.산세는 전체 화학 세척 과정의 핵심 단계입니다. 4. 물로 세척 및 대체: 산세 처리가 끝나면, 산세액을 산업용 물로 밀어내고 세척함으로써 남아 있는 산세액과 떨어져 나온 고형 입자들을 제거합니다.배출수의 pH 값이 중성에 가까워지면(pH 값 6~9), 각각의 유출물들을 정화시키면 작업을 마칠 수 있습니다. 5. 헹굼: 헹굼이란 헹굼제를 사용하여 시스템에 남아 있는 철 이온과 결합시켜, 물로 세척하는 과정에서 금속 표면에 생길 수 있는 녹을 제거하고, 시스템 내의 철 이온 농도를 낮추는 것입니다. 이를 통해 세척되는 금속 표면의 활성도를 줄여, 부동화 처리를 위한 기반을 마련합니다. 6. 중화 및 둔화 처리: 산세척을 거친 금속 표면은 활성도가 높아서 2차적인 부식이 발생하기 쉽습니다. 금속 표면에 둔화 처리를 하면 산화막이 형성되어 금속이 둔화된 상태가 되고, 그 결과 2차적인 부식이 방지됩니다.

7. 인공적인 청소 및 검수: 청소가 완료된 후에는 시스템을 깨끗하게 정리하고, 파이프라인 내의 모든 배출구를 열어 파이프라인에 남아 있는 세척액을 제거합니다. 그런 다음 관련 인원들이 검수를 진행하고, 파이프라인을 분해합니다.

7. 폐액 처리: 이 방법에서 사용되는 원료와 반응 후 생성되는 물질들에는 중금속 이온이나 유해한 물질이 전혀 없으므로, 폐액도 쉽게 처리하여 기준에 맞게 처리할 수 있습니다. 구체적인 처리 방법은 다음과 같습니다: 1. 물로 세척한 후의 폐수는 특별한 오염물질이 없으므로, A사가 지정한 오수 배출구를 통해 배출할 수 있습니다. 2. 각 단계의 세척 폐액을 pH=6-9가 될 때까지 중화시킨 후, A사가 지정한 배출 지점으로 배출한다. 3. 세척 폐액은 예비 처리를 거친 후, 가까운 곳에 위치한 A사의 오수 처리 시스템으로 유입되어 집중적으로 처리된 뒤, 기준에 부합하면 배출됩니다. 8. 세척 요약 화학적 세척 작업이 모두 완료된 후, 관련 데이터와 원본 기록을 정리하여 작업 요약을 작성하고, 이를 발주처에 보고합니다.