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Quando um MOSFET está em estado de condução ou interrupção, isso não acontece de forma instantânea. Há uma diminuição na tensão aplicada aos dois lados do MOSFET, enquanto a corrente que flui por ele aumenta. Durante esse período, a perda no MOSFET é igual ao produto da tensão e da corrente; essa perda é chamada de perda de comutação. Geralmente, as perdas de comutação são muito maiores do que as perdas em estado de condução. Além disso, quanto maior a frequência de comutação, maiores também são as perdas. Com base nos parâmetros do IRF840, supondo uma tensão no gate de 10V, a capacidade será de 63nC/10V = 6,3nF. Com uma resistência de descarga de 10 kΩ, a constante de tempo é de 63 us. No entanto, o MOSFET não é desligado após um determinado tempo constante; ele só é desligado quando a tensão no gate cai abaixo de Vg(th). Esse período está relacionado ao modelo do MOSFET, bem como à tensão atingida no gate (na verdade, a capacidade do gate não é uma capacidade linear). É uma estimativa aproximada; pode-se considerar que o tempo necessário para descarregar a capacidade do gate seja o dobro de 63 us, ou seja, 0,12 ms. A resistência de carregamento do gate do MOSFET é pequena (3 kΩ, conforme mostrado na imagem inicial); estima-se que o tempo de carregamento seja de 0,06 ms. Portanto, o tempo total de carregamento e descarregamento é de 0,18 ms. Neste circuito, a frequência de operação como chave do MOSFET é de 5,5 kHz.