Thread Content
Награда за участие: 2 богатства. Награда за правильный ответ: 9 богатств. В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в зоне характеристик дренажа: А. Зона переменного сопротивления; Б. Зона отключения; В. Зона насыщения; Г. Зона пробоя. Ответ: В. Началась новая акция в производственном регионе – призы очень привлекательные. Быстро присоединяйтесь! «Производственный регион запускает режим „Летние тренировки“»
C, зона насыщения,--------------------
В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в режиме характеристик дренажа
----------C. Зона насыщения-----------------
В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в режиме характеристик дренажа
В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в зоне насыщения характеристик дренажа
C Зона насыщения. . . . . . . . . . . . . . . .
В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в зоне характеристик дренажа A. Зона переменного сопротивления B. Зона отключения C. Зона насыщения D. Зона пробоя Ответ: C
В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в зоне переменного сопротивления дренажа A. Зона переменного сопротивления B. Зона отключения C. Зона насыщения D. Зона пробоя
в) Зона насыщения в) Зона насыщения в) Зона насыщения
В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в режиме характеристик дренажа
C. Зона насыщения. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
C, зона насыщения. . . . . . . . . . . . . . . . . .
В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в области переменного сопротивления дренажа
В усилительных схемах транзисторы на основе эффекта поля должны работать в зоне насыщения характеристик дренажа
C. Зона насыщения! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! !