Влияние на скорость образования отложений под давлением в системе реконструкции
Thread Content
Во всех книгах по теории ректификации говорится одно и то же: чем ниже давление в системе, тем быстрее происходит образование кокса и углерода на катализаторе. По моему пониманию, при снижении давления в системе падает давление водорода, что замедляет процесс насыщения диенидов и полициклических ароматических углеводородов. В результате увеличивается степень конденсации, что способствует более быстрому накоплению углеродных отложений. Адсорбционная реакция, как правило, сопровождается уменьшением объема. С точки зрения чистой кинетики, не должно ли быть так, что чем ниже давление, тем сильнее происходит реакция в обратном направлении, и тем медленнее идет процесс конденсации?
Скорость насыщения расщепленных диэнов и ароматических углеводородов с замкнутыми циклами снижается; в результате этого увеличивается степень конденсации, что способствует ускоренному накоплению углерода
Чем ниже давление, тем лучше протекает процесс дегидрогенизации: углеродно-водородные связи разрываются, и при удалении водорода остается только углерод
Ну, в конечном счёте речь идёт о насыщении гидрогенным давлением предшественников образования углеродных отложений; в результате этого равновесие насыщения смещается влево, что приводит к увеличению количества таких предшественников, как диэны и ароматические углеводороды с сложной структурой, — и это, в свою очередь, способствует увеличению количества углеродных отложений~~
Влияние процесса дегидрогенизации, наверное, ещё не так велико. В конце концов, дегидрогенизация и является целью процесса риформинга. Думаю, что в конечном счёте решающую роль играет давление водорода, которое способствует насыщению предшественников углеродных отложений. В результате этого равновесие процесса насыщения смещается влево, что приводит к увеличению количества диэнов и полициклических ароматических углеводородов – предшественников углеродных отложений. Это, в свою очередь, приводит к увеличению количества углеродных отложений~~