シリコン粉の表面酸化は、冷間水素化反応に影響を与えるか？
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テーマの通り、シリコン粉表面の酸化は冷間水素化反応速度に影響を与えるのでしょうか。
触媒を加えたシリコン粉が酸化して湿気を含むと、ほとんど反応しなくなる。
酸化表面の不動態化層の厚さがどれくらいかは分かりません。そちらにそのデータはありますか？
シリコン粉末は、そんなに簡単に酸化しないですよね？
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